SI8429DB-T1-E1 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.77W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.77W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).