SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 4 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.77W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.77W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI8429DB-T1-E1 nach Preis ab 0.70 EUR bis 2.01 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SI8429DB-T1-E1 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V |
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SI8429DB-T1-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 4 V |
auf Bestellung 17779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI8429DB-T1-E1 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.77W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.77W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI8429DB-T1-E1 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.77W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI8429DB-T1-E1 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 8V 11.7A 4-Pin Micro Foot T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI8429DB-T1-E1 | Hersteller : VISHAY |
SI8429DB-T1-E1 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |