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Si9433BDY-T1-E3 транзистор

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si9433bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si9433bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si9433bd.pdf MOSFETs 20V 6.2A 0.04Ohm
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Siliconix info-tsi9433bdy.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Siliconix info-tsi9433bdy.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy
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SI9433BDYT1E3 Hersteller : VISHAY
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
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330 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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330 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 330 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
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33uF 16V size-B 10% (TAJ336K016RNJ-AVX)
Produktcode: 16696
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AVX tantalum cap_datasheet.pdf
33uF 16V size-B 10% (TAJ336K016RNJ-AVX)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 33uF
Nennspannung: 16V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-B
№ 6: 8532210000
auf Bestellung 828 St.:
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LM2596R-ADJ
Produktcode: 122734
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htc00151504.pdf
LM2596R-ADJ
Hersteller: HTC
IC > IC AC/DC-Schaltregler
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
U eing., V: 45 V
I ausg., A: 3 А
F, kHz: 150 kHz
Bemerkung: Регульований
Робоча температура, °С: -40…125°C
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SN65HVD230DR
Produktcode: 123302
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn65hvd230
SN65HVD230DR
Hersteller: TI
IC > IC Interface
Gehäuse: SOIC-8
Eigenschaften: CAN Interface IC STANDBY MODE
Strom: 3...3,6 V
Temperaturbereich: -40…85°C
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: CAN
auf Bestellung 47 St.:
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SN-HPIR850nm-3W
Produktcode: 133629
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SN-HPIR850nm-3W
Hersteller: Opto
LEDs > LED Infrarot (IR)
Beschreibung: ІЧ-світлодіод 3Вт 850нм, 700mA. Кристал 8мм
Größe: 8 mm
Linse: прозора
Spannungsfall, V: 1,6...2 V
Winckel: 140°
SMD
850 нм
auf Bestellung 321 St.:
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erwartet 400 St.:
400 St. - erwartet 03.07.2026
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