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SI9433BDY-T1-E3

SI9433BDY-T1-E3 Vishay

si9433bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI9433BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.

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SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si9433bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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80+0.90 EUR
87+0.83 EUR
88+0.82 EUR
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Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
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Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si9433bd.pdf MOSFETs 20V 6.2A 0.04Ohm
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
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Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Siliconix si9433bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Si9433BDY-T1-E3 транзистор
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
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Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
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