SIB417EDK-T1-GE3
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Technische Details SIB417EDK-T1-GE3
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SC70, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -15A, Drain current: -9A, Drain-source voltage: -8V, Gate-source voltage: ±5V, Gate charge: 12nC, On-state resistance: 0.25Ω, Power dissipation: 13W, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®.
Weitere Produktangebote SIB417EDK-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIB417EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
SIB417EDK-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V |
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| SIB417EDK-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SC70 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -15A Drain current: -9A Drain-source voltage: -8V Gate-source voltage: ±5V Gate charge: 12nC On-state resistance: 0.25Ω Power dissipation: 13W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® |
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| SIB417EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
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| SIB417EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
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| SIB417EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -9A
Drain-source voltage: -8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 13W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -9A
Drain-source voltage: -8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 13W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
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