SIB417EDK-T1-GE3
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Technische Details SIB417EDK-T1-GE3
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SC70, Power dissipation: 13W, Gate charge: 12nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: -9A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -8V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±5V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 0.25Ω, Pulsed drain current: -15A.
Weitere Produktangebote SIB417EDK-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SIB417EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIB417EDK-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V |
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| SIB417EDK-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SC70 Power dissipation: 13W Gate charge: 12nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -8V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±5V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.25Ω Pulsed drain current: -15A |
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| SIB417EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
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| SIB417EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
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| SIB417EDK-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 13W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Pulsed drain current: -15A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 13W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Pulsed drain current: -15A
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