SIDR402EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.83 EUR |
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Technische Details SIDR402EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIDR402EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 291 A, 880 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 291A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm.
Weitere Produktangebote SIDR402EP-T1-RE3 nach Preis ab 2.25 EUR bis 8.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIDR402EP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V |
auf Bestellung 5897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIDR402EP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 8771 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIDR402EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR402EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 291 A, 880 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 291A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIDR402EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR402EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 291 A, 880 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 291A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDR402EP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.84 EUR |
| 10+ | 3.81 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.25 EUR |
| SIDR402EP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 8771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.94 EUR |
| 10+ | 4.55 EUR |
| 100+ | 3.17 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 3000+ | 2.48 EUR |
| SIDR402EP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR402EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 291 A, 880 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 291A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
Description: VISHAY - SIDR402EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 291 A, 880 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 291A
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.52 EUR |
| SIDR402EP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR402EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 291 A, 880 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 291A
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 150W
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
Description: VISHAY - SIDR402EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 291 A, 880 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)