SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 2.2 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 228A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.
Weitere Produktangebote SIDR608EP-T1-RE3 nach Preis ab 2.48 EUR bis 8.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIDR608EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 228A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm |
auf Bestellung 6016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
SIDR608EP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 11272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
SIDR608EP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
SIDR608EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 228A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm |
auf Bestellung 6016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
| SIDR608EP-T1-RE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 45V; 228A; 125W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 45V Drain current: 228A Power dissipation: 125W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 167nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIDR608EP-T1-RE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 228A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 228A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 6016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.38 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 1000+ | 2.74 EUR |
| SIDR608EP-T1-RE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 11272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.95 EUR |
| 10+ | 3.52 EUR |
| 100+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 3000+ | 2.48 EUR |
| SIDR608EP-T1-RE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.08 EUR |
| 10+ | 4.63 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 2.64 EUR |
| SIDR608EP-T1-RE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 228A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 228A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 6016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.54 EUR |
| 45+ | 5.22 EUR |
| 100+ | 3.38 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 1000+ | 2.74 EUR |
| SIDR608EP-T1-RE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 45V; 228A; 125W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 228A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 45V; 228A; 125W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 228A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)