SIDR610DP-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.63 EUR |
| 500+ | 3.96 EUR |
| 1000+ | 3.88 EUR |
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Technische Details SIDR610DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm.
Weitere Produktangebote SIDR610DP-T1-GE3 nach Preis ab 3.28 EUR bis 11.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIDR610DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC |
auf Bestellung 11816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIDR610DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm |
auf Bestellung 3694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIDR610DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC
MOSFETs 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC
auf Bestellung 11816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.95 EUR |
| 10+ | 5.87 EUR |
| 100+ | 4.36 EUR |
| 500+ | 3.67 EUR |
| 1000+ | 3.47 EUR |
| 3000+ | 3.45 EUR |
| 6000+ | 3.28 EUR |
| SIDR610DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 23+ | 11.09 EUR |
| 35+ | 6.75 EUR |
| 100+ | 4.63 EUR |
| 500+ | 3.96 EUR |
| 1000+ | 3.88 EUR |