SIE808DF-T1-E3 Vishay Siliconix
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Technische Details SIE808DF-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Power dissipation: 125W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 155nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 100A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 60A, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIE808DF-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SIE808DF-T1-E3 |
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| SIE808DF-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 45A 10-Pin PolarPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIE808DF-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 155nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 20V Drain current: 60A Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIE808DF-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
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SIE808DF-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 60A 125W 1.6mohm @ 10V |
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| SIE808DF-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 155nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 20V Drain current: 60A Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |