SIGC28T65EX1SA1 Infineon Technologies
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Technische Details SIGC28T65EX1SA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 3 CHIP 600V, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: Die, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A.
Weitere Produktangebote SIGC28T65EX1SA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIGC28T65EX1SA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBTChip N-CH 650V 3-Pin Die Wafer |
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SIGC28T65EX1SA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 3 CHIP 600V Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 50A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A |
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SIGC28T65EX1SA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT CHIPS |
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