SIHA186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.52 EUR |
| 10+ | 4.9 EUR |
| 100+ | 3.67 EUR |
| 500+ | 3.06 EUR |
| 1000+ | 2.84 EUR |
| 2000+ | 2.81 EUR |
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Technische Details SIHA186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHA186N60EF-GE3 nach Preis ab 4.26 EUR bis 9.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIHA186N60EF-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHA186N60EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.62 EUR |
| 34+ | 7.01 EUR |
| 100+ | 5.55 EUR |
| 500+ | 5.01 EUR |
| 1000+ | 4.26 EUR |