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SIHB11N80AE-T1-GE3 Vishay Siliconix


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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
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Technische Details SIHB11N80AE-T1-GE3 Vishay Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 5A, Power dissipation: 78W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 391mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 22A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHB11N80AE-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihb11n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V
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SIHB11N80AE-T1-GE3 SIHB11N80AE-T1-GE3 VISHAY sihb11n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 391mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 800V
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 391mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
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