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SIHF9Z24STRL-GE3 Vishay Semiconductors



Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
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Technische Details SIHF9Z24STRL-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -7.7A, Pulsed drain current: -44A, Power dissipation: 60W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHF9Z24STRL-GE3 SIHF9Z24STRL-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHF9Z24STRL-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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