SIHFBF20S-GE3 Vishay / BC Components



Hersteller: Vishay / BC Components
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
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Technische Details SIHFBF20S-GE3 Vishay / BC Components

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 1.1A, Pulsed drain current: 6.8A, Power dissipation: 54W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 38nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHFBF20S-GE3 SIHFBF20S-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHFBF20S-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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