auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.36 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHFR220-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 19A, Power dissipation: 42W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHFR220-GE3 nach Preis ab 0.40 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFR220-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFETs 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
auf Bestellung 8555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHFR220-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
SIHFR220-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
SIHFR220-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
SIHFR220-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
SIHFR220-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |