Technische Details SIHG30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 28, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 250, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: EL, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote SIHG30N60AEL-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SIHG30N60AEL-GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIHG30N60AEL-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 28 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: EL Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIHG30N60AEL-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage MSL: MSL 1 - unbegrenzt Transistormontage: Durchsteckmontage Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: EL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHG30N60AEL-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SIHG30N60AEL-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SIHG30N60AEL-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Durchsteckmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Durchsteckmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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