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SiHG30N60E-E3

SiHG30N60E-E3 Vishay Siliconix

sihg30n60e.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Technische Details SiHG30N60E-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SiHG30N60E-E3 SiHG30N60E-E3 Vishay / Siliconix sihg30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SiHG30N60E-E3 VISHAY sihg30n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
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SIHG30N60E-E3 SIHG30N60E-E3 Vishay sihg30n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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