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SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3 Vishay

sihg47n60ae.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Technische Details SIHG47N60AE-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 313W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay sihg47n60ae.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay sihg47n60ae.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg47n60ae.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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10+10.2 EUR
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SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60ae.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
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2+17.33 EUR
25+10.39 EUR
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SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 VISHAY sihg47n60ae.pdf Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 500 Stücke:
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13+18.2 EUR
25+14.97 EUR
50+14.11 EUR
100+12.91 EUR
250+12.45 EUR
500+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
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Dauer-Drainstrom Id: 43A
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
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25+14.97 EUR
50+14.11 EUR
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