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SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3 Vishay

sihg47n60ae.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Technische Details SIHG47N60AE-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 313W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay sihg47n60ae.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay sihg47n60ae.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 VISHAY Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
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