SIHG47N60E-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 14.67 EUR |
| 8+ | 9.58 EUR |
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Technische Details SIHG47N60E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG47N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 47, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHG47N60E-GE3 nach Preis ab 8.32 EUR bis 15.68 EUR
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SIHG47N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG47N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG47N60E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG47N60E-GE3 Produktcode: 203041
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SIHG47N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHG47N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHG47N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG47N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 47 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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