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Technische Details SIHG61N65EF-GE3 Vishay / Siliconix
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 41A, Power dissipation: 520W, Case: TO247AC, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 47mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 199A, Gate charge: 371nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHG61N65EF-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIHG61N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC |
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SIHG61N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
SIHG61N65EF-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 650V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com |
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SIHG61N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
SIHG61N65EF-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 650V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com |
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| SIHG61N65EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 199A Gate charge: 371nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SIHG61N65EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 199A Gate charge: 371nC |
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