SIHG61N65EF-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SIHG61N65EF-GE3 Vishay Siliconix
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 41A, Pulsed drain current: 199A, Power dissipation: 520W, Case: TO247AC, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 47mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 371nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHG61N65EF-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SIHG61N65EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Gate charge: 371nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG61N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHG61N65EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Gate charge: 371nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |