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SiHG64N65E-GE3

SiHG64N65E-GE3 Vishay / Siliconix

sihg64n65e.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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Technische Details SiHG64N65E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V.

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SiHG64N65E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihg64n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V
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SIHG64N65E-GE3 SIHG64N65E-GE3 Hersteller : Vishay sihg64n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SiHG64N65E-GE3 Hersteller : VISHAY sihg64n65e.pdf SIHG64N65E-GE3 THT N channel transistors
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