| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.86 EUR |
| 10+ | 6.87 EUR |
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Technische Details SIHP085N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 184W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm.
Weitere Produktangebote SIHP085N60EF-GE3 nach Preis ab 5.44 EUR bis 13.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIHP085N60EF-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FASTPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP085N60EF-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 184W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP085N60EF-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.28 EUR |
| 10+ | 8.94 EUR |
| 50+ | 7.08 EUR |
| 100+ | 6.49 EUR |
| 500+ | 5.44 EUR |
| SIHP085N60EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 184W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
Description: VISHAY - SIHP085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)