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SIHP15N80AE-GE3

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Produktcode: 213863
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp15n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
50+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 VISHAY sihp15n80ae.pdf Description: VISHAY - SIHP15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.304 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
99+2.37 EUR
100+2.17 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp15n80ae.pdf MOSFETs TO220 800V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+3.27 EUR
100+3.03 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.37 EUR
2000+2.24 EUR
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SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 Vishay sihp15n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
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SIHP15N80AE-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
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AnzahlPrivatkunde
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SIHP15N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.304 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised
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99+2.37 EUR
100+2.17 EUR
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SIHP15N80AE-GE3 sihp15n80ae.pdf
SIHP15N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.47 EUR
10+3.27 EUR
100+3.03 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.37 EUR
2000+2.24 EUR
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SIHP15N80AE-GE3 sihp15n80ae.pdf
SIHP15N80AE-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
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TL494CDR
Produktcode: 123303
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494
TL494CDR
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-16
Funktion und Eigenschaften: Schaltcontroller, PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 40 В
Ausgangsstrom Iout, A: 0,2 А
Frequenz Fosc, kHz: 300 кГц
Temperaturbereich: -40…+85°С
auf Bestellung: 485 St.
  • 485 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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