| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| 5000+ | 1.04 EUR |
| 10000+ | 1.02 EUR |
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Technische Details SIHP8N50D-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote SIHP8N50D-GE3 nach Preis ab 1.27 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SIHP8N50D-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP8N50D-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Mounting Type: Through Hole Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP8N50D-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 3.22 EUR |
| 128+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| SIHP8N50D-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Mounting Type: Through Hole
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Mounting Type: Through Hole
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.47 EUR |
| 50+ | 1.67 EUR |