SIHR085N60EF-T1GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 7.18 EUR |
| 500+ | 6.38 EUR |
| 1000+ | 6.16 EUR |
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Technische Details SIHR085N60EF-T1GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 184W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHR085N60EF-T1GE3 nach Preis ab 5.53 EUR bis 13.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIHR085N60EF-T1GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHR085N60EF-T1GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHR085N60EF-T1GE3 |
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 600V
MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.95 EUR |
| 10+ | 8.68 EUR |
| 100+ | 6.97 EUR |
| 500+ | 6.2 EUR |
| 1000+ | 5.53 EUR |
| SIHR085N60EF-T1GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 19+ | 13.49 EUR |
| 25+ | 9.6 EUR |
| 100+ | 7.18 EUR |
| 500+ | 6.38 EUR |
| 1000+ | 6.16 EUR |