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SIHR085N60EF-T1GE3

SIHR085N60EF-T1GE3 Vishay


Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 600V
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Technische Details SIHR085N60EF-T1GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 184W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIHR085N60EF-T1GE3 SIHR085N60EF-T1GE3 VISHAY VISH-S-A0024973467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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Produktpalette: EF Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
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SIHR085N60EF-T1GE3 SIHR085N60EF-T1GE3 VISHAY VISH-S-A0024973467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2050 Stücke:
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
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