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SIHR100N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs
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Technische Details SIHR100N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, Power dissipation: 347W, Case: PowerPAK® 8x8L, On-state resistance: 85mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 16nC, Gate-source voltage: ±30V.

Weitere Produktangebote SIHR100N60E-T1-GE3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHR100N60E-T1-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 347W
Case: PowerPAK® 8x8L
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Gate-source voltage: ±30V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIHR100N60E-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 347W
Case: PowerPAK® 8x8L
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
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