SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.89 EUR |
| 10+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 3000+ | 0.84 EUR |
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Technische Details SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 96, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 56.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4, Verlustleistung: 56.8, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIJA72ADP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SIJA72ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK |
auf Bestellung 2772 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIJA72ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)