SIJH402E-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH402E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 650 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 263W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.49 EUR |
| 500+ | 4.61 EUR |
| 1000+ | 4.28 EUR |
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Technische Details SIJH402E-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIJH402E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 650 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 450A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 263W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm.
Weitere Produktangebote SIJH402E-T1-GE3 nach Preis ab 4.28 EUR bis 13.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIJH402E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJH402E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 650 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 450A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 263W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJH402E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH402E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 650 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
Description: VISHAY - SIJH402E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 650 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 20+ | 13.11 EUR |
| 50+ | 8.01 EUR |
| 100+ | 5.49 EUR |
| 500+ | 4.61 EUR |
| 1000+ | 4.28 EUR |