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SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir140dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 VISHAY 2606261.pdf Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 VISHAY 2606261.pdf Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir140dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 11305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+3.33 EUR
100+2.65 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors sir140dp.pdf MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+3.45 EUR
100+2.59 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.96 EUR
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SIR140DP-T1-RE3 Vishay sir140dp.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 71.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.88 EUR
98+1.68 EUR
99+1.59 EUR
105+1.44 EUR
250+1.37 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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SIR140DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIR140DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: To Be Advised
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Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 11305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4 EUR
10+3.33 EUR
100+2.65 EUR
500+2.24 EUR
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AnzahlPrivatkunde
1+4.32 EUR
10+3.45 EUR
100+2.59 EUR
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1000+1.96 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 71.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
94+1.88 EUR
98+1.68 EUR
99+1.59 EUR
105+1.44 EUR
250+1.37 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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