Weitere Produktangebote SIR422DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.63 EUR bis 4.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 22.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 70A Technology: TrenchFET® |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 13561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V |
auf Bestellung 1143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm |
auf Bestellung 24489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.79 EUR |
| 6000+ | 0.73 EUR |
| 9000+ | 0.63 EUR |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.79 EUR |
| 6000+ | 0.75 EUR |
| 9000+ | 0.67 EUR |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 169+ | 1.02 EUR |
| 172+ | 0.99 EUR |
| 194+ | 0.86 EUR |
| 250+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.25 EUR |
| 169+ | 0.99 EUR |
| 172+ | 0.93 EUR |
| 194+ | 0.8 EUR |
| 250+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Technology: TrenchFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 2.18 EUR |
| 47+ | 1.82 EUR |
| 54+ | 1.59 EUR |
| 65+ | 1.31 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 13561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.75 EUR |
| 10+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| 3000+ | 0.88 EUR |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.27 EUR |
| 11+ | 2.07 EUR |
| 100+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 24489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 4.75 EUR |
| 83+ | 2.81 EUR |
| 125+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.37 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| 5000+ | 1.19 EUR |







