SIR422DP-T1-GE3
Produktcode: 101557
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Hersteller:
8542399000
8542 39 90 00
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 26978 Stücke: Lieferzeit 270-274 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm |
auf Bestellung 13272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 22.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 83+ | 2.17 EUR |
| 109+ | 1.62 EUR |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 26978 Stücke:
Lieferzeit 270-274 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.53 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 3000+ | 0.95 EUR |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 13272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 5.45 EUR |
| 73+ | 3.2 EUR |
| 111+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 5000+ | 1.27 EUR |
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIR422DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)