SIR422DP-T1-GE3 - IC - IC andere

SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Produktcode: 101557
Hersteller:
8542399000
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Technische Details SIR422DP-T1-GE3

Preis SIR422DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SIR422DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR422DP-T1-GE3
Hersteller:
SIR422DP MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
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SIR422DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 41241 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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