SIR422DP-T1-GE3
Produktcode: 101557
Hersteller: 8542399000
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Technische Details SIR422DP-T1-GE3
Preis SIR422DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SIR422DP-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR422DP-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR422DP-T1-GE3 Hersteller: SIR422DP MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 41241 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIR422DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SIR422DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 20V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 8002 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount
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