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EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT WITH TIMESMICROWAVE LMR-240-75 CABLE

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SIR-0030

EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT WITH TIMESMICROWAVE LMR-240-75 CABLE

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SIR-023

EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT REAR RELEASE,

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SIR-027

Removal Tool

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SIR-027

Removal Tool

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SIR-038

REMOVAL TOOL, SPECIAL #8 TWINAX/QUADRAX

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SIR-22ST3F

04+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-22UT3F

04+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-312STT32

DIP-2

auf Bestellung 360000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-312STT32M

Description: INFRARED EMITTER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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SIR-312STT32N

Description: INFRARED EMITTER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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SIR-312STT32P

Description: INFRARED EMITTER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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SIR-320ST3F

Description: SIR-320ST3F
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy

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SIR-320ST3F

Infrared Emitters FLAT SIDE IR EMITTER

auf Bestellung 1036 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR-320ST3FF

Infrared Emitters IR 940nm GaAs LED 100mW Po; 18deg

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SIR-320ST3FF

Description: EMITTER IR 940NM 75MA T-1
Packaging: Bulk
Package / Case: T-1
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Viewing Angle: 36°
Current - DC Forward (If) (Max): 75mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA
Part Status: Obsolete

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SIR-320ST3FL

Description: SIR-320ST3FL
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy

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SIR-320ST3FM

Description: SIR-320ST3FM
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy

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SIR-320ST3FN

Description: SIR-320ST3FN
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy

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SIR-320ST3FP

Description: SIR-320ST3FP
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy

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SIR-33ST3FK

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-33ST3FL

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-33ST3FM

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-341ST3F

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-341ST3FF

Description: EMITTER IR 940NM 75MA T-1

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SIR-341ST3FFL

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-341ST3FFM

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-341ST3FFN

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-341ST3FFP

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-34ST3F

Infrared Emitters IR EMITTER FOR REMOTE CONTROLLER

auf Bestellung 2483 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.98 EUR
41+	1.29 EUR
100+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SIR-34ST3F

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-34ST3F

Description: EMITTER IR 950NM 100MA T-1

auf Bestellung 1759 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.05 EUR
20+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIR-381SB

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-381SB3F

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-381SB3FX1

auf Bestellung 8500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-481ST3FFL

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-481ST3FFM

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-481ST3FL

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-481ST3FM

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-481ST3FN

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-481ST3HL

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-481ST3HM

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-48IT3(P)

auf Bestellung 4574 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-505STA47

04+

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-505STA47

Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4
Packaging: Bulk
Package / Case: T 1 3/4
Wavelength: 950nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.38V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SIR-505STA47

Infrared Emitters CLEAR REMOTE IR EMIT DIRECT MOUNTING TYP

auf Bestellung 1604 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

31+	1.72 EUR
46+	1.14 EUR
100+	0.75 EUR
1000+	0.58 EUR
2000+	0.53 EUR
10000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 31

SIR-505STA47F

Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

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SIR-563ST3F

Infrared Emitters IR LED HIGH OUTPUT

auf Bestellung 2393 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.2 EUR
37+	1.44 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.75 EUR
2000+	0.7 EUR
10000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIR-563ST3F

Description: INFRARED LIGHT EMITTING DIODES T
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.34V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 8.2mW/sr @ 50mA
Part Status: Active

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SIR-563ST3F

04+

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-563ST3FM

Infrared Emitters IR 940nm GaAs LED 11mW Po; 15deg

auf Bestellung 846 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
44+	1.2 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.58 EUR
10000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 29

SIR-563ST3FN

Description: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4
Packaging: Bulk
Package / Case: T 1 3/4
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.34V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 9mW/sr @ 50mA

auf Bestellung 1858 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.26 EUR
18+	1.47 EUR
100+	0.96 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR-563ST3FX

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-563STT32Z1P

Description: SIR-563STT32Z1P
Packaging: Bulk

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SIR-568ST3F

Description: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4
Packaging: Bulk
Package / Case: T 1 3/4
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Viewing Angle: 26°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 18mW/sr @ 50mA
Part Status: Not For New Designs

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR-568ST3F

Infrared Emitters IR LED HIGH SPEED

auf Bestellung 1356 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.66 EUR
12+	4.42 EUR
100+	3.41 EUR
500+	3.07 EUR
1000+	2.68 EUR
5000+	2.47 EUR
10000+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR-568ST3FFP

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-568ST3FFQ

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-568ST3FFR

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-568ST3FFS

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-56ST3F

Infrared Emitters IR LED FOR REMOTE CONTROLLER

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.98 EUR
41+	1.29 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	0.75 EUR
2000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SIR-56ST3F

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-56ST3F

Description: INFRARED LIGHT EMITTING DIODES T
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 950nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA
Part Status: Active

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SIR-56ST3FF

Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4
Packaging: Bulk
Package / Case: T 1 3/4
Wavelength: 950nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA
Part Status: Active

auf Bestellung 2274 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
20+	1.32 EUR
100+	0.87 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIR-56ST3FFL

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-56ST3FFM

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-56ST3FFN

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-56ST3FFP

Description: INFRARED EMITTER

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SIR-59SSTA47

04+

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-935

04+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-S4-105A

GOODSKY

ZIP-4

auf Bestellung 334 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR-S4-105AAP

auf Bestellung 381 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR1-03-L-S

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.01 EUR
10+	9.59 EUR
106+	8.01 EUR
530+	6.79 EUR
1007+	5.77 EUR
2544+	5.3 EUR
5035+	5.2 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR1-03-L-S

Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 3
Number of Rows: 1

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.23 EUR
10+	10.19 EUR
25+	9.65 EUR
50+	9.43 EUR
100+	8.98 EUR
250+	7.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIR1-03-L-S-A

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.28 EUR
10+	10.84 EUR
106+	9.02 EUR
530+	7.67 EUR
1007+	6.53 EUR
2544+	5.98 EUR
5035+	5.88 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIR1-03-L-S-A-K

Description: SAMTEC - SIR1-03-L-S-A-K - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 3
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-03-L-S-A-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-03-L-S-A-K-TR

Description: SAMTEC - SIR1-03-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 3
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-03-L-S-A-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 299 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.17 EUR
10+	11.7 EUR
100+	9.72 EUR
450+	8.27 EUR
900+	7.05 EUR
2250+	6.45 EUR
4950+	6.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIR1-03-L-S-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-03-L-S-K

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube

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SIR1-03-L-S-K-TR

Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 3
Number of Rows: 1

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

450+	7.39 EUR
900+	6.73 EUR

Mindestbestellmenge: 450

SIR1-03-L-S-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.95 EUR
10+	10.5 EUR
100+	8.76 EUR
450+	7.41 EUR
900+	6.34 EUR
2250+	5.8 EUR
4950+	5.69 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIR1-03-L-S-K-TR

Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 3
Number of Rows: 1

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.87 EUR
10+	9.86 EUR
25+	9.34 EUR
50+	9.12 EUR
100+	8.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIR1-03-L-S-TR

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SIR1-03-S-S

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-03-S-S-A

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-03-S-S-A-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-03-S-S-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-03-S-S-K-TR

Conn One Piece Interface M 3 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R

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SIR1-03-S-S-K-TR

Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD

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SIR1-05-L-S

Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD

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SIR1-05-L-S

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-05-L-S-A

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-05-L-S-A

Description: SAMTEC - SIR1-05-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 5 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 5
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-05-L-S-A-TR

Description: SAMTEC - SIR1-05-L-S-A-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 5 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 5
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-05-L-S-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1-05-L-S-K-TR

Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 5
Number of Rows: 1

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

450+	9.87 EUR
900+	9 EUR

Mindestbestellmenge: 450

SIR1-05-L-S-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 2449 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.89 EUR
10+	9.02 EUR
100+	8.55 EUR
450+	7.07 EUR
900+	6.73 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIR1-05-L-S-K-TR

Conn Spring Loaded Connector SKT 5 POS 2.54mm Solder RA SMD T/R

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SIR1-05-L-S-K-TR

Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 5
Number of Rows: 1

auf Bestellung 1210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.51 EUR
10+	13.17 EUR
25+	12.48 EUR
50+	12.19 EUR
100+	11.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIR1-05-L-S-TR

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1-05-S-S

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-05-S-S-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1-05-S-S-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1-07-L-S

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1-07-L-S-A

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.27 EUR
10+	13.7 EUR
112+	11.41 EUR
504+	9.7 EUR
1008+	8.27 EUR
2520+	7.59 EUR
5012+	7.44 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIR1-07-L-S-A-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1-07-L-S-A-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1-07-L-S-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1-07-L-S-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1-07-L-S-TR

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1-07-S-S

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	17.45 EUR
10+	16.74 EUR
112+	13.81 EUR
504+	11.62 EUR
1008+	10.19 EUR
2520+	9.67 EUR
5012+	9.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIR1-07-S-S-A-K-TR

Description: CONN SPRING MOD 7POS R/A SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 7
Number of Rows: 1

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SIR1-07-S-S-A-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-07-S-S-A-K-TR

Conn One Piece Interface M 7 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R

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SIR1-07-S-S-A-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-07-S-S-A-TR

Conn One Piece Interface M 7 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R

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SIR1-07-S-S-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-07-S-S-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-L-S

Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIR1-10-L-S

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.8 EUR
57+	9.91 EUR
114+	9.46 EUR
513+	9.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIR1-10-L-S-A

Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 10
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-10-L-S-A

Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD Tube

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SIR1-10-L-S-A

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.23 EUR
10+	16.47 EUR
25+	15.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIR1-10-L-S-A

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.61 EUR
57+	10.58 EUR
114+	10.09 EUR
513+	9.83 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIR1-10-L-S-A-K

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

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SIR1-10-L-S-A-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-L-S-A-K

SIR1-10-L-S-A-K

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SIR1-10-L-S-A-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-L-S-A-K-TR

Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R

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SIR1-10-L-S-A-K-TR

Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 10
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-10-L-S-A-K-TR

Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

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SIR1-10-L-S-A-TR

Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 10
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-10-L-S-A-TR

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

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SIR1-10-L-S-A-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-L-S-A-TR

Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R

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SIR1-10-L-S-FR

SIR1-10-L-S-FR

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SIR1-10-L-S-K

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SIR1-10-L-S-K

Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tube

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SIR1-10-L-S-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-L-S-K-FR

SIR1-10-L-S-K-FR

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SIR1-10-L-S-K-FR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-L-S-K-TR

Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

auf Bestellung 277 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.52 EUR
10+	15.84 EUR
25+	14.96 EUR
50+	14.6 EUR
100+	13.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIR1-10-L-S-K-TR

Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R

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SIR1-10-L-S-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.4 EUR
25+	11.21 EUR
50+	10.43 EUR
100+	9.91 EUR
850+	9.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIR1-10-L-S-K-TR

Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R

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SIR1-10-L-S-K-TR

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SIR1-10-L-S-K-TR

Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.73 EUR

Mindestbestellmenge: 28

SIR1-10-L-S-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-L-S-TR

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SIR1-10-L-S-TR

Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R

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SIR1-10-S-S

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

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SIR1-10-S-S

Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD Tube

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SIR1-10-S-S

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-S-S-A

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

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SIR1-10-S-S-A

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 37-51 Tag (e)

4+	16.46 EUR
10+	15.24 EUR
114+	13.52 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIR1-10-S-S-A-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-S-S-A-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-S-S-A-K-TR

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

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SIR1-10-S-S-A-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-S-S-A-TR

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

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SIR1-10-S-S-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-S-S-K

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

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SIR1-10-S-S-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-S-S-K-TR

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

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SIR1-10-S-S-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-10-S-S-TR

Description: SAMTEC - SIR1-10-S-S-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-10-S-S-TR

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1

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SIR1-15-L-S

.100 Inch Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-15-L-S

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.31 EUR
26+	13.83 EUR
52+	12.84 EUR
104+	12.25 EUR
507+	11.86 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIR1-15-L-S

Description: CONN SPRING MOD 15POS R/A SMD
Packaging: Bulk
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	21.03 EUR
10+	18.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIR1-15-L-S-A

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SIR1-15-L-S-A

Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 15
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-15-L-S-A

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-15-L-S-A-K

Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A-K - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: 0
Rastermaß: 0
Anzahl der Kontakte: 0
Kontaktmaterial: 0
Anzahl der Reihen: 0
Federbelasteter Steckverbinder: 0
Steckverbindermontage: 0
Produktpalette: 0
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-15-L-S-A-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-15-L-S-A-K

ECE POWER RIGHT ANGLE ASSEMBLY

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SIR1-15-L-S-A-K

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SIR1-15-L-S-A-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-15-L-S-A-K-TR

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SIR1-15-L-S-A-K-TR

Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 15
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-15-L-S-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-15-L-S-K

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SIR1-15-L-S-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-15-L-S-K-TR

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SIR1-15-S-S

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-15-S-S-A

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 70-84 Tag (e)

3+	21.11 EUR
10+	19.53 EUR
26+	18.46 EUR
52+	17.78 EUR
104+	17.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIR1-15-S-S-A-K-TR

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1

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SIR1-15-S-S-A-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-15-S-S-A-TR

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1

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SIR1-15-S-S-A-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-15-S-S-K

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR1-15-S-S-K-TR

Description: SAMTEC - SIR1-15-S-S-K-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIR1-15-S-S-K-TR

Conn One Piece Interface M 15 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R

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SIR1-15-S-S-K-TR

Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1

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SIR1-15-S-S-K-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface

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SIR104ADP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SIR104ADP-T1-RE3

N-Channel 100 V MOSFET

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SIR104ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V

auf Bestellung 1185 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.38 EUR
10+	4.83 EUR
100+	3.88 EUR
500+	3.19 EUR
1000+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIR104ADP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8

auf Bestellung 24144 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.81 EUR
14+	3.98 EUR
100+	3.2 EUR
250+	2.94 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.28 EUR
3000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIR104ADP-T1-RE3

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SIR104ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V

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SIR104DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V

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SIR104DP-T1-RE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.77 EUR
11+	4.81 EUR
100+	3.85 EUR
250+	3.56 EUR
500+	3.22 EUR
1000+	2.76 EUR
3000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR104DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 79A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIR104DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR104DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR104DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR104DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 5988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.76 EUR
92+	1.64 EUR
93+	1.5 EUR
100+	1.43 EUR
250+	1.36 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.28 EUR
3000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 89

SIR104LDP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIR104LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR104LDP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR104LDP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.65 EUR
6000+	1.57 EUR
9000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR104LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR104LDP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 100 V

auf Bestellung 22436 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.33 EUR
19+	2.76 EUR
100+	2.25 EUR
500+	2 EUR
1000+	1.7 EUR
3000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIR104LDP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V

auf Bestellung 15419 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.98 EUR
10+	3.26 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR106ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V

auf Bestellung 10533 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.61 EUR
10+	3.02 EUR
100+	2.4 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR106ADP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8

auf Bestellung 46561 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.64 EUR
18+	3.04 EUR
100+	2.42 EUR
250+	2.23 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.74 EUR
3000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIR106ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.64 EUR
6000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR106ADP-T1-RE3

SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR106DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

auf Bestellung 6804 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.21 EUR
10+	3.51 EUR
100+	2.79 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR106DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR106DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 10314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR106DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.9 EUR
6000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR106DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 5644 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.26 EUR
129+	1.13 EUR
131+	1.07 EUR
136+	0.99 EUR
250+	0.95 EUR
500+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 125

SIR106DP-T1-RE3

auf Bestellung 10314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR106DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR106DP-T1-RE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 14318 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.16 EUR
14+	3.74 EUR
100+	3.02 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.05 EUR
3000+	1.91 EUR
6000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR108DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR108DP-T1-RE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 10662 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.11 EUR
15+	3.64 EUR
100+	2.86 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.82 EUR
3000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIR108DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.45 EUR
10+	3.97 EUR
100+	3.09 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR112DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR112DP-T1-RE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 14693 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.28 EUR
20+	2.68 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.44 EUR
3000+	1.36 EUR
9000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIR112DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 40V 37.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR112DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 40V 37.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR112DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR112DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR112DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR12-21C/TR8

Description: EMITTER IR 875NM 65MA 1208
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 160°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SIR12-21C/TR8

Infrared Emitters Infrared LED

Produkt ist nicht verfügbar

SIR12-21C/TR8

Description: EMITTER IR 875NM 65MA 1208
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 160°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA
Part Status: Active

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
26+	1.01 EUR
100+	0.67 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIR12-21C/TR8

Infrared Emitter 875nm 4mW/sr Rectangular Right Angle 2-Pin Chip LED T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR120DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V

auf Bestellung 14471 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.93 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.61 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR120DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 80V 24.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR120DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 106A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SIR120DP-T1-RE3

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SIR120DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 2968 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.98 EUR
16+	3.3 EUR
100+	2.63 EUR
250+	2.51 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.88 EUR
3000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIR120DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.78 EUR
6000+	1.71 EUR
9000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR120DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 80V 24.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR120DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm

auf Bestellung 24814 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR120DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm

auf Bestellung 24814 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR122DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR122DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 50°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 30655 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR122DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.94 EUR
6000+	0.9 EUR
9000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR122DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V

auf Bestellung 12554 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.29 EUR
14+	1.86 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR122DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR122DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59.6A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SIR122DP-T1-RE3

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SIR122DP-T1-RE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 76389 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.3 EUR
28+	1.87 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.01 EUR
3000+	0.95 EUR
6000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SIR122LDP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 5986 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR122LDP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE

auf Bestellung 5958 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.15 EUR
10+	2.81 EUR
100+	2.19 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIR122LDP-T1-RE3

SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors

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SIR122LDP-T1-RE3

auf Bestellung 5986 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR122LDP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR124DP-T1-RE3

SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

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SIR124DP-T1-RE3

MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 17558 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.5 EUR
24+	2.25 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SIR124DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V

auf Bestellung 12323 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.44 EUR
13+	2.01 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIR124DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.02 EUR
6000+	0.97 EUR
9000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR1309DP-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK

auf Bestellung 4174 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.2 EUR
27+	1.93 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.81 EUR
6000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIR1309DP-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1309DP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 19.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1309DP-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -65.7A; 56.8W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -150A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -65.7A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1309DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65.7
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 4486 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR1309DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1309DP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 19.1A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1309DP-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

auf Bestellung 5162 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.18 EUR
14+	1.89 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR1309DP-T1-GE3

auf Bestellung 4486 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR140DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 8834 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR140DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR140DP-T1-RE3

MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 5837 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.04 EUR
13+	4.21 EUR
100+	3.35 EUR
250+	3.09 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.4 EUR
3000+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIR140DP-T1-RE3

auf Bestellung 8834 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR140DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 25V 71.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 5890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.67 EUR
98+	1.49 EUR
99+	1.42 EUR
105+	1.28 EUR
250+	1.21 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.12 EUR
3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 94

SIR140DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V

auf Bestellung 11305 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.97 EUR
10+	4.13 EUR
100+	3.29 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR15-21C

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR150DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 300A

Produkt ist nicht verfügbar

SIR150DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.21 EUR
14+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR150DP-T1-RE3

MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

auf Bestellung 11984 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
29+	1.84 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.94 EUR
9000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SIR150DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR150DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR150DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR150DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIR158DP

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR158DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR158DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR158DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V

auf Bestellung 3920 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.32 EUR
10+	3.59 EUR
100+	2.86 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR158DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm

auf Bestellung 3582 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR158DP-T1-GE3

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR158DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR158DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR158DP-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 16100 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.39 EUR
15+	3.64 EUR
100+	2.94 EUR
250+	2.68 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR158DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR158DP-T1-GE3

auf Bestellung 3582 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR158DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm

auf Bestellung 2729 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR158DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR158DP-T1-RE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 2420 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.16 EUR
16+	3.46 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.97 EUR
3000+	1.87 EUR
6000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIR158DP-T1-RE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIR158DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V

auf Bestellung 2537 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.08 EUR
10+	3.39 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR158DP-T1-RE3

auf Bestellung 2729 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR158DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR158DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR164

09+

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR164ADP-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 2988 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR164ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR164ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR164ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

auf Bestellung 3225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR164ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 5824 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.47 EUR
13+	2.03 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIR164ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR164ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

auf Bestellung 475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR164DP

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR164DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR164DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR164DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR164DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR164DP-T1-GE3

QFN

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR164DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR164DP-T1-GE3

MOSFET 30V 50A 69W 2.5mohm @ 10V

auf Bestellung 4772 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.38 EUR
19+	2.78 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.49 EUR
3000+	1.38 EUR
6000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIR164DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR164DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V

auf Bestellung 4516 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.33 EUR
10+	2.71 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.79 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR164DP-T1-RE3

MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR164DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR164DY-T1-GE3

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR165DP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V

auf Bestellung 14500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.56 EUR
6000+	1.49 EUR
9000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR165DP-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 7.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR165DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR165DP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR165DP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V

auf Bestellung 14977 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.77 EUR
10+	3.09 EUR
100+	2.41 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR165DP-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 28123 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.8 EUR
17+	3.12 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.67 EUR
3000+	1.57 EUR
6000+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIR165DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR165DP-T1-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	5.04 EUR
10+	4.34 EUR
100+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIR166DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIR166DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR166DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR166DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR166DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR166DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V

auf Bestellung 2390 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.46 EUR
10+	2.83 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR167DP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V

auf Bestellung 12957 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.63 EUR
13+	2.15 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR167DP-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 68189 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.63 EUR
23+	2.34 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.19 EUR
3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SIR167DP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.09 EUR
6000+	1.04 EUR
9000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR167DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 23369 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR167DP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR168DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

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SIR168DP-T1-GE3

MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR17-21C/TR8

Description: EMITTER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V
Viewing Angle: 150°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 65mA

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SIR17-21C/TR8

Infrared Emitters

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SIR170DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3377 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR170DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 24625 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.5 EUR
14+	3.74 EUR
100+	2.96 EUR
250+	2.76 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.33 EUR
3000+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR170DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR170DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR170DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR170DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR170DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

SIR170DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIR170DP-T1-RE3

auf Bestellung 3377 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR170DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR170DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V

auf Bestellung 5135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.84 EUR
10+	4.34 EUR
100+	3.49 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR170DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR172ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR172ADP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Gate charge: 44nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A

Produkt ist nicht verfügbar

SIR172ADP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR172ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

auf Bestellung 1961 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
24+	1.09 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SIR172ADP-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 443 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.22 EUR
50+	1.05 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 43

SIR172DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR172DP-T1-GE3

MOSFET 30V 20A 29.8W 8.9mohm @ 10V

auf Bestellung 3166 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR172DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR172DP-T1-GE3

auf Bestellung 4152 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR178DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR178DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR178DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 430 A, 0.00031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 430
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR178DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR178DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V

auf Bestellung 2441 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.98 EUR
10+	3.31 EUR
100+	2.63 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR178DP-T1-RE3

SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR178DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR178DP-T1-RE3

MOSFET 20V N-CHANNEL (D-S) MOS

auf Bestellung 8418 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.21 EUR
14+	3.8 EUR
100+	3.07 EUR
500+	2.52 EUR
1000+	2.07 EUR
3000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIR178DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR180ADP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 83.3W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR180ADP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR180ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V

auf Bestellung 3154 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.42 EUR
10+	3.68 EUR
100+	2.93 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR180ADP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR180ADP-T1-RE3

MOSFET 60V N-CHANNEL (D-S) MOS

auf Bestellung 8515 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.61 EUR
17+	3.12 EUR
100+	2.68 EUR
250+	2.59 EUR
500+	2.33 EUR
1000+	2.04 EUR
3000+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIR180ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR180ADP-T1-RE3

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SIR180ADP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR180ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR180ADP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR180DP-T1-RE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 17983 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.16 EUR
16+	3.46 EUR
100+	2.76 EUR
250+	2.54 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.98 EUR
3000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIR180DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V

auf Bestellung 5934 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.16 EUR
10+	3.45 EUR
100+	2.74 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR180DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Power dissipation: 83.3W
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 150A
Gate charge: 87nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

SIR180DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR180DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR180DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR180DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR180DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR182DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 17930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR182DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR182DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR182DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V

auf Bestellung 4129 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.8 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR182DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 69.4W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 17930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR182DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR182DP-T1-RE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 99115 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.87 EUR
17+	3.22 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIR182DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR182DP-T1-RE3

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SIR182DP-T1-RE3-X

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SIR182LDP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR182LDP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 11811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR182LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR182LDP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V

auf Bestellung 7799 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.37 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.9 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR182LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR182LDP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 11811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR182LDP-T1-RE3

SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR182LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR184DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 0.0047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm

auf Bestellung 6811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR184DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR184DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.19 EUR
6000+	1.13 EUR
9000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR184DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR184DP-T1-RE3

auf Bestellung 6811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR184DP-T1-RE3

SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR184DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 2567 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

86+	1.82 EUR
103+	1.47 EUR
108+	1.35 EUR
137+	1.02 EUR
250+	0.97 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 86

SIR184DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

auf Bestellung 23343 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.89 EUR
12+	2.36 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR184DP-T1-RE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 340159 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.91 EUR
22+	2.37 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.28 EUR
3000+	1.19 EUR
6000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIR184LDP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.72 EUR
10+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR184LDP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6048 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR184LDP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR184LDP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

auf Bestellung 18131 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.56 EUR
18+	2.94 EUR
100+	2.27 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.57 EUR
3000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIR184LDP-T1-RE3

auf Bestellung 6048 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR186DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 57W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR186DP-T1-RE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 21256 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.07 EUR
19+	2.76 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.41 EUR
3000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIR186DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

auf Bestellung 6903 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.91 EUR
11+	2.39 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIR186DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR186DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR186DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 11093 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR186DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR186LDP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 80.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80.3A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIR186LDP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 57
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 2201 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR186LDP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V

auf Bestellung 14990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.34 EUR
14+	1.9 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR186LDP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR186LDP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S)

auf Bestellung 49020 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.35 EUR
28+	1.91 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.03 EUR
3000+	0.99 EUR
6000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SIR186LDP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.96 EUR
6000+	0.91 EUR
9000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR188DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR188DP-T1-RE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 11850 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4 EUR
16+	3.38 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIR188DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR188DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.13 EUR
10+	3.7 EUR
100+	2.88 EUR
500+	2.38 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR188DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 23796 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR188LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25.8A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR188LDP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR188LDP-T1-RE3

SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR188LDP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V

auf Bestellung 4437 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.59 EUR
10+	2.95 EUR
100+	2.29 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR19-21C

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR19-21C/TR8

EVERLIGH

2010+ LED

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR19-21C/TR8

Description: EMITTER IR 875NM 65MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 145°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA
Part Status: Active

auf Bestellung 18462 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
26+	1 EUR
100+	0.66 EUR
1000+	0.51 EUR
2000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIR19-21C/TR8

Description: EMITTER IR 875NM 65MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 145°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA
Part Status: Active

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4000+	0.46 EUR
8000+	0.43 EUR
12000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

SIR19-21C/TR8

Infrared Emitter 875nm 3mW/sr Rectangular Top Mount 2-Pin Mini-SMD T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR19-21C/TR8

Infrared Emitters Infrared LED

Produkt ist nicht verfügbar

SIR19-315

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR19-315/TR8

Infrared Emitter 870nm 1.3mW/sr Rectangular Top Mount 2-Pin SMD T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR19-315/TR8

Infrared Emitters Infrared LED

Produkt ist nicht verfügbar

SIR19-315/TR8

Description: EMITTER IR 870NM 70MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 870nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Viewing Angle: 140°
Current - DC Forward (If) (Max): 70mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1B6B4

Solid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR1B6B4

Description: SOLID STATE RELAY

Produkt ist nicht verfügbar

SIR1C20B6

Solid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY

Produkt ist nicht verfügbar

SIR2

N/A

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR2

SIRCOMM

01+ SOP

auf Bestellung 169 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR2

N/A

09+ SOP8

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR2

SIRCOMM

SOP-8

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR204-A

Infrared Emitters Infrared LED Lamp

Produkt ist nicht verfügbar

SIR204-A

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR204-A

Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SIR204C

auf Bestellung 764 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
27+	1 EUR
100+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIR204C

Infrared Emitters Infrared LED

Produkt ist nicht verfügbar

SIR2167

auf Bestellung 12060 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR22224VDC

Power Relay 24VDC 10A DPST-NO/DPST-NC(46.4mm 16mm 30.7mm) THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIR222P-12VDC

Power Relay 12VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR222P-24VDC

Power Relay 24VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/DPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIR222P48VDC

Power Relay 48VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/DPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIR234

auf Bestellung 2973 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
26+	1 EUR
100+	0.66 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIR234

Infrared Emitters Infrared LED

Produkt ist nicht verfügbar

SIR25-15-L5

SunStar

Description: PROPANE HEATER INFRARED U-TUBE
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 8"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 110
Width (Inches): 18
BTU's: 25000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	3620.08 EUR

SIR25-15-N5

SunStar

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 8"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 110
Width (Inches): 18
BTU's: 25000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	3768.8 EUR

SIR2A20A4

Solid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	229.45 EUR

SIR2A20A4

Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR2B20A4

Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED

Produkt ist nicht verfügbar

SIR2B20A4

Solid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR2B20B4

Solid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR2B20B4

Description: SSR RELAY SPST-NC 20A 0-120V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR300B

auf Bestellung 25500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR312 12VDC SEN

PCB Relay With Forcibly Guided Contacts

Produkt ist nicht verfügbar

SIR312 24VDC SEN

SIR312-24VDC SEN

Produkt ist nicht verfügbar

SIR31224VDC

PCB Power Relay

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SIR3123

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR312P-24VDC

Power Relay 24VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIR312P110VDC

Power Relay 110VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIR314M200S043

Description: 314.2MHz SAW Res. +/100KHz 4P 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 314.2 MHz

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR315M000S041

Description: 315MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315 MHz

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR315M000S042

Description: 315MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315 MHz

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR315M000S043

Description: 315MHz SAW Res. +/-100KHz 4P 503
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315 MHz

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR315M050S042

Description: 315.05MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315.05 MHz

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR315M500S042

Description: 315.5MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315.5 MHz

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR318M000S041

Description: 318MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 318 MHz

auf Bestellung 600000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR318M000S042

Description: 318MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 318 MHz

auf Bestellung 600000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR323-5

Infrared Emitter 875nm 400mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag

Produkt ist nicht verfügbar

SIR323-5

Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 35°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SIR330DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR330DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR330DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR332 12VDC SEN

SIR332-12VDC SEN

Produkt ist nicht verfügbar

SIR332 24VDC SEN

SIR332-24VDC SEN

Produkt ist nicht verfügbar

SIR33224VDC

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333-A

Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 20°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 20mA

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333-A

Infrared Emitter 875nm 900mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333-A

EVERLIGHT

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR333-A/TR1(R)

SIR333-A/TR1(R)

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SIR333/H0

SIR333/H0

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333/H19-R11

LED Uni-Color

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333/H19/F51-R11

5mm Infrared LED

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333/H19/F51-R11

Description: EMITTER
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V
Viewing Angle: 15°
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 15mW/sr @ 50mA

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333/H19/F51-R11

Infrared Emitters

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333/H19/F51-R11(S7440)

SIR333/H19/F51-R11(S7440)

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333C

Description: EMITTER
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V
Viewing Angle: 20°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 100mA

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333C

Infrared Emitters

Produkt ist nicht verfügbar

SIR333C

Infrared Emitter 875nm 920mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4

Produkt ist nicht verfügbar

SIR341STA49

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR341STA9

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR36150

Brady Corporation

Description: (RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG,

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SIR383

Infrared Emitters Infrared LED

Produkt ist nicht verfügbar

SIR383

Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Produkt ist nicht verfügbar

SIR383

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR383C

Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 20°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 11mW/sr @ 20mA
Part Status: Active

auf Bestellung 2035 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.78 EUR
15+	1.76 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.98 EUR
2000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR383C

Infrared Emitter 875nm 950mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4

Produkt ist nicht verfügbar

SIR383C

Everlight Electronics CO., LTD

Infrared Emitters Infrared LED

Produkt ist nicht verfügbar

SIR383C

Infrared Emitter 875nm 950mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4

Produkt ist nicht verfügbar

SIR3850A

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR401DP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR401DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
Qualifikation: -
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2573 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR401DP-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 12808 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR401DP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V

auf Bestellung 3926 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.24 EUR
15+	1.83 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR401DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm

auf Bestellung 9135 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR401DP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR401DP-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 11934 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.93 EUR
33+	1.62 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR402DP-T1-E3

Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm

auf Bestellung 2166 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR402DP-T1-E3

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR402DP-T1-E3

auf Bestellung 2166 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR402DP-T1-GE3

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR402DP-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 10490 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.39 EUR
15+	3.64 EUR
100+	2.94 EUR
250+	2.68 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR402DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR402DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR402DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR403EDP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.86 EUR
6000+	0.82 EUR
9000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR403EDP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR403EDP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR403EDP-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -40A; Idm: -60A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 153nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR403EDP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V

auf Bestellung 13199 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
16+	1.7 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIR403EDP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR403EDP-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 120505 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.1 EUR
31+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SIR404DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.1 EUR
6000+	2.02 EUR
9000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR404DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR404DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 4503 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR404DP-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 10087 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.68 EUR
14+	3.9 EUR
100+	3.12 EUR
250+	2.89 EUR
500+	2.6 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR404DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR404DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V

auf Bestellung 28007 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.65 EUR
10+	3.86 EUR
100+	3.07 EUR
500+	2.6 EUR
1000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR404DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIR404DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 4503 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR406DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR408DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR408DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR408DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR410DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR410DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR410DP-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 5866 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR410DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR410DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W

Produkt ist nicht verfügbar

SIR410DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR410DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

auf Bestellung 1623 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.73 EUR
11+	2.45 EUR
100+	1.91 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR410DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR412DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR412DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR412DP-T1-GE3

MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1825 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR412DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

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SIR414DP

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR414DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR414DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.26 EUR
10+	3.84 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR414DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR414DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR414DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 70A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR414DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

auf Bestellung 2491 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR414DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR416DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR416DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 69
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIR416DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V

auf Bestellung 329 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.51 EUR
10+	3.14 EUR
100+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR416DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR416DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR416DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR416DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 69
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIR416DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 14820 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SiR418DP-T1-E3

QFN 10+

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR418DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR418DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR418DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 39W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR418DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 5935 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.15 EUR
21+	2.59 EUR
100+	2 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIR418DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR418DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V

auf Bestellung 22610 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.12 EUR
11+	2.55 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIR418DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.29 EUR
6000+	1.23 EUR
9000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR422 21VDC
Produktcode: 128096

Relais

Produkt ist nicht verfügbar

SIR42224VDC

Relays with forcibly guided contact

Produkt ist nicht verfügbar

SiR422DP-T1-E3

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR422DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 30341 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.65 EUR
22+	2.39 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.64 EUR
6000+	1.36 EUR
9000+	1.33 EUR
24000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SIR422DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 22.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	1.34 EUR
59+	1.22 EUR
77+	0.93 EUR
82+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 54

SIR422DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.13 EUR
6000+	1.07 EUR
9000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR422DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR422DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm

auf Bestellung 63220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR422DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR422DP-T1-GE3

auf Bestellung 2690 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

54+	1.34 EUR
59+	1.22 EUR
77+	0.93 EUR
82+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 54

SIR422DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V

auf Bestellung 51660 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.7 EUR
12+	2.23 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR422DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR422DP-T1-GE3
Produktcode: 101557

IC > IC andere
8542399000
8542 39 90 00

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SIR424DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR424DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 4010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR424DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR424DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 30A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 41.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR424DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR424DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 4010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR424DP-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 4557 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
30+	1.78 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.11 EUR
6000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIR424DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR424DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR426DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V

auf Bestellung 53898 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.39 EUR
14+	1.96 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIR426DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4626 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR426DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 70678 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.42 EUR
27+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SIR426DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26.7W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Gate charge: 31nC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A

Produkt ist nicht verfügbar

SIR426DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.99 EUR
6000+	0.95 EUR
9000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR426DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR426DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR426DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4626 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR428DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR428DP-T1-GE3

auf Bestellung 2122 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR428DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SIR428DP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA12DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR432DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR432DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR433M220S042

Description: 433.22MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.22 MHz

auf Bestellung 600000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR433M420S042

Description: 433.42MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.42 MHz

auf Bestellung 600000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR433M920S041

Description: 433.92MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.92 MHz

auf Bestellung 600000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR433M920S042

Description: 433.92MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.92 MHz

auf Bestellung 600000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR433M920S043

Description: 433.92MHz SAW Res. +/-100KHz 4P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.92 MHz

auf Bestellung 600000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR433M920S046

Description: 433.92MHz SAW Res. +/-30KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±30kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.92 MHz

auf Bestellung 600000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR433M970S041

Description: 433.97MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.97 MHz

auf Bestellung 600000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIR436DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR436DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR436DP-T1-GE3

MOSFET 25V 40A 50W

auf Bestellung 2824 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR436DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR438DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 80A; 83W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR438DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR438DP-T1-GE3

MOSFET 25V 60A 83W

auf Bestellung 5769 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.76 EUR
13+	4.29 EUR
100+	3.46 EUR
500+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIR438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com

auf Bestellung 1160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

84+	1.88 EUR
87+	1.74 EUR
89+	1.63 EUR
100+	1.45 EUR
250+	1.37 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 84

SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

SIR438DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V

auf Bestellung 261 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.52 EUR
10+	3.74 EUR
100+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR438DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4406DP-T1-GE3

MOSFET N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 4.75 mohm a. 10V, 6.7 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
29+	1.84 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	0.99 EUR
3000+	0.93 EUR
6000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIR4409DP-T1-RE3

Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V

auf Bestellung 5980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.15 EUR
11+	2.57 EUR
100+	2 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIR4409DP-T1-RE3

MOSFET P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 9 mohm a. 10V, 12 mohm a. 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4409DP-T1-RE3

Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR440DP-T1-E3

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR440DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR440DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A; 66.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR440DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V

auf Bestellung 8653 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.6 EUR
10+	3.82 EUR
100+	3.04 EUR
500+	2.57 EUR
1000+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR440DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR440DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR440DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm

auf Bestellung 3281 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR440DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR440DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.07 EUR
6000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR440DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR440DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR440DP-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 7772 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.68 EUR
14+	3.9 EUR
100+	3.12 EUR
250+	2.89 EUR
500+	2.6 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR4411DP-T1-GE3

MOSFET

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SIR44224VDC

Power Relay 24VDC 10A 4PST-NO/4PST-NC(85.5x20x32)mm THT

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SIR450DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR450DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 5095 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR450DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.64 EUR
18+	2.96 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.59 EUR
3000+	1.55 EUR
9000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIR450DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V

auf Bestellung 5835 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.69 EUR
10+	3.02 EUR
100+	2.35 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR450DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR450DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 5095 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR450DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR460

09+

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR4602LDP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - MOSFET, POWERPAK SO-8, 8.8 M 10V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 11868 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR4602LDP-T1-RE3

SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4602LDP-T1-RE3

Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V

auf Bestellung 5909 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.21 EUR
15+	1.8 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR4602LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.2A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4602LDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60-V MSFT

auf Bestellung 14200 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
29+	1.81 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.31 EUR
3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIR4602LDP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - MOSFET, POWERPAK SO-8, 8.8 M 10V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 11868 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR4602LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.2A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4602LDP-T1-RE3

Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR4604DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 49.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR4604DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 49.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

auf Bestellung 6024 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.59 EUR
10+	3.21 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR4604LDP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 0.0074 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR4604LDP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerPAK® SO8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4604LDP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR4604LDP-T1-GE3

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR4604LDP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

auf Bestellung 6006 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.77 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR4604LDP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4606DP

Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4606DP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 48540 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.94 EUR
22+	2.39 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.72 EUR
3000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIR4606DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.2 EUR
6000+	1.14 EUR
9000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR4606DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4606DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 31.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4606DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4606DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

auf Bestellung 10423 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.91 EUR
11+	2.37 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIR4608DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R

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SIR4608DP-T1-GE3

SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR4608DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 42.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

auf Bestellung 6050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.63 EUR
13+	2.16 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR4608DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR4608DP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 42.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.09 EUR
6000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR4608DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR4608LDP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 43.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

auf Bestellung 6050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.2 EUR
10+	2.86 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIR4608LDP-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 43.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR460DP

auf Bestellung 1450 Stücke:

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SIR460DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIR460DP-T1-GE3

auf Bestellung 2080 Stücke:

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SIR460DP-T1-GE3
Produktcode: 100038

Transistoren > MOSFET N-CH

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SIR460DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.07 EUR
10+	2.74 EUR
100+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIR460DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR460DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR460DP-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 1936 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.89 EUR
21+	2.59 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.34 EUR
3000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIR460DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SIR460DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

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SIR460DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR462DP

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR462DP-T1-E3

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.11 EUR
6000+	1.06 EUR
9000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.89 EUR
94+	1.62 EUR
97+	1.51 EUR
121+	1.16 EUR
250+	1.1 EUR
500+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 83

SIR462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR462DP-T1-GE3

QFN

auf Bestellung 5435 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.68 EUR
98+	1.54 EUR
121+	1.2 EUR
250+	1.15 EUR
500+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 94

SIR462DP-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 30365 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.73 EUR
22+	2.46 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.28 EUR
6000+	1.22 EUR
9000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SIR462DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR462DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 41.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 2054 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR462DP-T1-GE3

06NOPB

auf Bestellung 4299 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR462DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

auf Bestellung 33148 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.68 EUR
12+	2.2 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR462DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIR462DPR462

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR464

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR464DP-T1-GE3

MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V

auf Bestellung 2836 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR464DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

70+	2.24 EUR
78+	1.95 EUR
79+	1.86 EUR
100+	1.4 EUR
250+	1.33 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 70

SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR464DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR464DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR464DP-T1-GE3

08+ DIP

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR464DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR464DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

auf Bestellung 3937 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.64 EUR
10+	3.24 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR464DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	2.02 EUR
79+	1.93 EUR
100+	1.46 EUR
250+	1.38 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 78

SIR464DPR464

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR466DP

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR466DP-T1-GE3

1041+ QFN-8

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR466DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

auf Bestellung 20764 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.7 EUR
12+	2.23 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR466DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm

auf Bestellung 3645 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR466DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR466DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR466DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

auf Bestellung 19000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.13 EUR
6000+	1.07 EUR
9000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR466DP-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 10789 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.32 EUR
27+	1.94 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.13 EUR
6000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SIR466DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 54W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR466DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	1.27 EUR
6000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR466DP-T1-GE3

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SIR468DP-T1-E3

auf Bestellung 17500 Stücke:

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SIR468DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR468DP-T1-GE3

MOSFET 30V 40A 50W 5.7mohm @ 10V

auf Bestellung 2225 Stücke:

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SIR468DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

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SIR468DP-T1-GE3

VISHAY QFN 12+

auf Bestellung 6000 Stücke:

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SIR468DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

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SIR468DP-T1-GE3

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR470DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A; 66.6W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR470DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 2612 Stücke:

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36+	4.45 EUR
39+	3.89 EUR
42+	3.53 EUR
100+	2.86 EUR
250+	2.72 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SIR470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V

auf Bestellung 8457 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.5 EUR
10+	5.41 EUR
100+	4.3 EUR
500+	3.64 EUR
1000+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIR470DP-T1-GE3

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SIR470DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR470DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR470DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR470DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 13796 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR470DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 49548 Stücke:

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9+	6.34 EUR
10+	5.36 EUR
100+	4.32 EUR
250+	4.06 EUR
500+	3.59 EUR
1000+	2.94 EUR
3000+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIR470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.93 EUR
6000+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR470DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 2612 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.45 EUR
39+	3.89 EUR
42+	3.53 EUR
100+	2.87 EUR
250+	2.72 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SIR472ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR472ADP-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR472ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V

auf Bestellung 6666 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.66 EUR
18+	1.46 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIR472ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP

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SIR472DP

auf Bestellung 100 Stücke:

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SIR472DP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA18DP-T1-GE3

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SIR472DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR472DP-T1-GE3

auf Bestellung 1829 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR472DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

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SIR472DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 2298 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

349+	0.45 EUR
354+	0.43 EUR
360+	0.4 EUR
366+	0.38 EUR
371+	0.36 EUR
378+	0.34 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 349

SIR472DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR472DP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 3.9
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: To Be Advised

Produkt ist nicht verfügbar

SIR472DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

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SIR472DP-TI-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR474

09+

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR474DP

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR474DP-T1-GE3

QFN

auf Bestellung 890 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR474DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

auf Bestellung 618 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.34 EUR
13+	2.07 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR474DP-T1-GE3
Produktcode: 100039

Transistoren > MOSFET N-CH

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SIR474DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR474DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR474DP-T1-GE3

SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIR474DP-T1-GE3

MOSFET 30V 20A 29.8W

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.57 EUR
23+	2.26 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SIR474DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR474DP-T1-RE3

MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR474DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

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SIR474DPR474

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR476DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR476DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR476DP-T1-GE3

auf Bestellung 2410 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR476DP-T1-GE3

MOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V

auf Bestellung 3255 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR476DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR482DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR484DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR484DP-T1-GE3

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR484DP-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR484DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 17.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR484DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

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SIR492DP

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR492DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR492DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR492DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR492DP-T1-GE3

MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR494

EVERLIGHT

04+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

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SIR494DP-T1-GE3

MOSFET 12V 60A 104W 1.2mohm @ 10V

auf Bestellung 3352 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIR494DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR494DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.89 EUR
11+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SiR496DP-T1-E3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR496DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIR496DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SIR496DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

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SiR500DP

Produkt ist nicht verfügbar

SIR500DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR500DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR500DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 350.8A
On-state resistance: 0.68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 500A

Produkt ist nicht verfügbar

SIR500DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V

auf Bestellung 7856 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.8 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR500DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR500DP-T1-RE3

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR500DP-T1-RE3

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SIR500DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.71 EUR
6000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR500DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S)

auf Bestellung 40075 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
17+	3.17 EUR
100+	2.54 EUR
250+	2.41 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.81 EUR
3000+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIR500DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR500DP-T1-RE3-X

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SIR505ST47

04+

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR5102DP

SIR5102DP

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SIR5102DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 27A T/R

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SIR5102DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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SIR5102DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V

auf Bestellung 5843 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.99 EUR
10+	5.8 EUR
100+	4.61 EUR
500+	3.9 EUR
1000+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIR5102DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIR5102DP-T1-RE3

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SIR5102DP-T1-RE3

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SIR5102DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR5102DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)

auf Bestellung 2632 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.1 EUR
10+	5.9 EUR
100+	4.71 EUR
250+	4.6 EUR
500+	3.98 EUR
1000+	3.38 EUR
3000+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SiR5108DP

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 10.5 mohm a. 10V 10.1 mohm a. 7.5V

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SIR5108DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V

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SIR5108DP-T1-RE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 10.5 mohm a. 10V 10.1 mohm a. 7.5V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 540-554 Tag (e)

15+	3.64 EUR
18+	3.02 EUR
100+	2.39 EUR
250+	2.23 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.73 EUR
3000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIR5108DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V

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SIR510DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIR510DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.31 EUR
6000+	2.23 EUR
9000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR510DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 17122 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR510DP-T1-RE3

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SIR510DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)

auf Bestellung 16210 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.86 EUR
12+	4.34 EUR
100+	3.46 EUR
250+	3.3 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.55 EUR
6000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIR510DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 31A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SIR510DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V

auf Bestellung 12368 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.12 EUR
10+	4.26 EUR
100+	3.39 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR510DP-T1-RE3

auf Bestellung 17122 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR510DP-T1-RE3-X

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SIR5110DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR5110DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR5110DP-T1-RE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V

auf Bestellung 5950 Stücke:

Lieferzeit 350-364 Tag (e)

12+	4.37 EUR
15+	3.64 EUR
100+	2.89 EUR
250+	2.65 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.08 EUR
3000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SiR5112DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V

auf Bestellung 11990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.11 EUR
10+	3.41 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SiR5112DP-T1-RE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

auf Bestellung 5213 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.19 EUR
15+	3.48 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.56 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.99 EUR
3000+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SiR5112DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.85 EUR
6000+	1.78 EUR
9000+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR512 60VDC SP

Relays with forcibly guided contacts

Produkt ist nicht verfügbar

SIR51224VDC

Power Relay 24VDC 10A 5PST-NO/SPST-NC(58.9x16x30.7)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIR512DP

Trans MOSFET N-CH 100V 25.1A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR512DP-T1-BE3

Vishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIR512DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 25.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR512DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

auf Bestellung 6301 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.84 EUR
10+	4.04 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.72 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR512DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIR512DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.19 EUR
6000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR514DP

Trans MOSFET N-CH 100V 20.8A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR514DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR514DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIR514DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V

auf Bestellung 5870 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.52 EUR
10+	3.75 EUR
100+	2.99 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR516DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63.7A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63.7A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR516DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR516DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.8A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR516DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR516DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR516DP-T1-RE3

MOSFET 100volts 63.7amp

auf Bestellung 10100 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.32 EUR
15+	3.61 EUR
100+	2.86 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIR5308-0.3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR5308-0.3W

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR5308-0.5

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR5308-1W

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR532 60VDC SP

Relays with forcibly guided contacts

Produkt ist nicht verfügbar

SIR53224VDC

H301385

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SIR552-150VDC

Relay with forcibly guided contacts

Produkt ist nicht verfügbar

SIR55212VDC

PCB Relay 12V with Forcibly Guided Contact

Produkt ist nicht verfügbar

SIR55224VDC

Power Relay 24VDC 10A 5PST-NO/5PST-NC(85.5mm 20mm 32mm) THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIR55248VDC

SIR552-48VDC

Produkt ist nicht verfügbar

SIR5607DP-T1-RE3

MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7 mohm a. 10V, 12 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.66 EUR
10+	5.54 EUR
100+	4.39 EUR
250+	4.06 EUR
500+	3.69 EUR
1000+	3.17 EUR
3000+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR5607DP-T1-RE3

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7 m @ 10V, 12 m @ 4.5V

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SiR5623DP-T1-RE3

MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 8915 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.95 EUR
16+	3.28 EUR
100+	2.6 EUR
250+	2.42 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.88 EUR
3000+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIR563ST3FX

04+

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR56SB3

auf Bestellung 2417 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR56SB3-Rohm (infrarot LED 5mm)
Produktcode: 14584

LEDs > LED Infrarot (IR)
Größe: 5mm

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SIR56SB3F

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR56ST3

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR5708DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.87 EUR
10+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR5708DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

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SIR5708DP-T1-RE3

SIR5708DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

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SIR5708DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 545-559 Tag (e)

15+	3.54 EUR
17+	3.17 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.6 EUR
3000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIR570DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR570DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 5536 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR570DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V

auf Bestellung 5245 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.88 EUR
10+	5.26 EUR
100+	4.23 EUR
500+	3.48 EUR
1000+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIR570DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 150-V (D-S)

auf Bestellung 5493 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.72 EUR
11+	4.94 EUR
100+	3.98 EUR
250+	3.85 EUR
500+	3.33 EUR
1000+	2.81 EUR
3000+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR570DP-T1-RE3

auf Bestellung 5536 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR570DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR570DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR5710DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.95 EUR
10+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR5710DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

Produkt ist nicht verfügbar

SIR5710DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK

auf Bestellung 921 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.33 EUR
20+	2.73 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.47 EUR
3000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIR572DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

Produkt ist nicht verfügbar

SIR572DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.1 EUR
10+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR572DP-T1-RE3

SIR572DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR574DP-T1-RE3

SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR576DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

Produkt ist nicht verfügbar

SIR576DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR576DP-T1-RE3

SIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR578DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 70.2A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70.2A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIR578DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR5802DP-T1-RE3

SIR5802DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR5802DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR5802DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 4739 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR5802DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR5802DP-T1-RE3

auf Bestellung 4739 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR5802DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V

auf Bestellung 1862 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.6 EUR
10+	4.13 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.73 EUR
1000+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIR5808DP-T1-RE3

MOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7.35 mohm a. 10V 8.3 mohm a. 7.5V

auf Bestellung 11975 Stücke:

Lieferzeit 619-633 Tag (e)

16+	3.25 EUR
20+	2.65 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.44 EUR
3000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIR580DP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S)

auf Bestellung 5215 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.37 EUR
15+	3.64 EUR
100+	2.89 EUR
250+	2.65 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.08 EUR
3000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIR580DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 2968 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR580DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Gate charge: 76nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 146A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.2mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR580DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR580DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR580DP-T1-RE3

auf Bestellung 2968 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR582DP-T1-BE3

MOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR582DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 116
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 92.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 5566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR582DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V

auf Bestellung 3189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.32 EUR
10+	3.88 EUR
100+	3.12 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR582DP-T1-RE3

SIR582DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR582DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80-V MSFT

auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.87 EUR
17+	3.22 EUR
100+	2.56 EUR
250+	2.36 EUR
500+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIR582DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR582DP-T1-RE3

auf Bestellung 5566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR584DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 5620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR584DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V

auf Bestellung 5320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.08 EUR
10+	3.67 EUR
100+	2.95 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIR584DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR584DP-T1-RE3

SIR584DP-T1-RE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIR584DP-T1-RE3

auf Bestellung 5620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR584DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80-V MSFT

auf Bestellung 4692 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.64 EUR
18+	3.04 EUR
100+	2.47 EUR
3000+	2.08 EUR
9000+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIR5850A

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIR586DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.43 EUR
10+	3.07 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR586DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80-V MSFT

auf Bestellung 20549 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.28 EUR
20+	2.68 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.51 EUR
3000+	1.34 EUR
9000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIR586DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIR588DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR588DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80-V MSFT

auf Bestellung 4468 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.35 EUR
28+	1.91 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.08 EUR
3000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SIR588DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.6 EUR
12+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIR606BDP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 38.7A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR606BDP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm

auf Bestellung 29328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR606BDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR606BDP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR606BDP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR606BDP-T1-RE3

auf Bestellung 29328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIR606BDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 3887 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.38 EUR
19+	2.78 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.49 EUR
3000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIR606BDP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V

auf Bestellung 2173 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.35 EUR
10+	2.75 EUR
100+	2.14 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR606DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V

auf Bestellung 2563 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.54 EUR
10+	2.89 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIR606DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 1860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	1.13 EUR
140+	1.08 EUR
142+	1.03 EUR
152+	0.92 EUR
250+	0.87 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 139

SIR606DP-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 11489 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.28 EUR
20+	2.73 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIR606DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR606DP-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 44.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR606DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 1860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

130+	1.2 EUR
139+	1.09 EUR
140+	1.04 EUR
142+	0.99 EUR
152+	0.88 EUR
250+	0.83 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 130

SIR606DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIR606DP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR608DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 208A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIR608DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR608DP-T1-RE3

N-Channel 45 V (D-S) Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

SIR608DP-T1-RE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIR608DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIR608DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR608DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 208 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
Dauer-Drainstrom Id: 208
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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SIR608DP-T1-RE3

MOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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SIR610DP-T1-RE3

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

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SIR610DP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35.4A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIR610DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V

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SIR610DP-T1-RE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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