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SIR440DP-T1-GE3

SIR440DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir440dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details SIR440DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR440DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SIR440DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.59 EUR bis 5.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIR440DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 Vishay sir440dp.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR440DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir440dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
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SIR440DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir440dp.pdf MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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100+2.37 EUR
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SIR440DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR440DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
63+3.71 EUR
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500+2.05 EUR
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SIR440DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 Vishay sir440dp.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: Vishay
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR440DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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