SIR5710DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.2 EUR |
| 10+ | 1.88 EUR |
| 100+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 3000+ | 0.9 EUR |
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Technische Details SIR5710DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8, Gate charge: 15nC, On-state resistance: 31.5mΩ, Power dissipation: 4.8W, Gate-source voltage: 20V, Drain-source voltage: 150V, Case: PowerPAK® SO8, Kind of channel: enhancement, Polarisation: N, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote SIR5710DP-T1-RE3 nach Preis ab 0.82 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| SIR5710DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8 Gate charge: 15nC On-state resistance: 31.5mΩ Power dissipation: 4.8W Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 150V Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: N Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR5710DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR5710DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |