SIR460DP-T1-GE3 - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
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Technische Details SIR460DP-T1-GE3
Preis SIR460DP-T1-GE3 ab 2.09 EUR bis 3.04 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) 
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auf Bestellung 235 Stücke  Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 5 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIR460DP-T1-GE3 Hersteller:
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2080 Stücke |
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SIR460DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR460DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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