SIR460DP-T1-GE3

SIR460DP-T1-GE3

Produktcode: 100038
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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Technische Details SIR460DP-T1-GE3

Preis SIR460DP-T1-GE3 ab 2.09 EUR bis 3.04 EUR

SIR460DP-T1-GE3
SIR460DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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9+ 2.99 EUR
10+ 2.68 EUR
100+ 2.09 EUR
SIR460DP-T1-GE3
SIR460DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SIR460DP-T1-GE3
Hersteller:

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SIR460DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR460DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR460DP-T1-GE3
SIR460DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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