| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.9 EUR |
| 10+ | 3.83 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.26 EUR |
| 3000+ | 1.95 EUR |
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Technische Details SIR512DP-T1-BE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 100A, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 41nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®.
Weitere Produktangebote SIR512DP-T1-BE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR512DP-T1-BE3 | Vishay | Vishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| SIR512DP-T1-BE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 100A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR512DP-T1-BE3 |
Hersteller: Vishay
Vishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Vishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
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| SIR512DP-T1-BE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
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