SIR5607DP-T1-UE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.27 EUR |
| 10+ | 4.76 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 2.89 EUR |
| 1000+ | 2.81 EUR |
| 3000+ | 2.56 EUR |
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Technische Details SIR5607DP-T1-UE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W, Mounting: SMD, On-state resistance: 7mΩ, Pulsed drain current: -250A, Power dissipation: 104W, Polarisation: unipolar, Drain current: -72.7A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -60V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8.
Weitere Produktangebote SIR5607DP-T1-UE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR5607DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR5607DP-T1-UE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W Mounting: SMD On-state resistance: 7mΩ Pulsed drain current: -250A Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Drain current: -72.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR5607DP-T1-UE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIR5607DP-T1-UE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Drain current: -72.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Drain current: -72.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
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