SIR5712DP-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.51 EUR |
| 141+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 5000+ | 0.95 EUR |
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Technische Details SIR5712DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm.
Weitere Produktangebote SIR5712DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.93 EUR bis 4.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIR5712DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 10324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR5712DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm |
auf Bestellung 5936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR5712DP-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 10324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.81 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 3000+ | 1.25 EUR |
| 6000+ | 0.98 EUR |
| 24000+ | 0.93 EUR |
| SIR5712DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm
Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm
auf Bestellung 5936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 58+ | 4.32 EUR |
| 93+ | 2.51 EUR |
| 141+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 5000+ | 0.95 EUR |


