SIR580DP-T1-BE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.43 EUR |
| 10+ | 3.52 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| 1000+ | 1.86 EUR |
| 3000+ | 1.75 EUR |
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Technische Details SIR580DP-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 146A, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 50.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®.
Weitere Produktangebote SIR580DP-T1-BE3 nach Preis ab 1.88 EUR bis 5.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIR580DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C |
auf Bestellung 4102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR580DP-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
auf Bestellung 4102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.53 EUR |
| 10+ | 3.57 EUR |
| 100+ | 2.45 EUR |
| 500+ | 1.98 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |