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SIR584DP-T1-BE3

SIR584DP-T1-BE3 Vishay


Hersteller: Vishay
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A
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Technische Details SIR584DP-T1-BE3 Vishay

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 100A, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 36.7nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIR584DP-T1-BE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SIR584DP-T1-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
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