Produkte > VISHAY > SIR680ADP-T1-BE3

SIR680ADP-T1-BE3 VISHAY

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details SIR680ADP-T1-BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 104W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm.

Weitere Produktangebote SIR680ADP-T1-BE3 nach Preis ab 1.4 EUR bis 4.45 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

SIR680ADP-T1-BE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR680ADP-T1-BE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 2055 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.45 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.97 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.57 EUR
3000+	1.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR680ADP-T1-BE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR680ADP-T1-BE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 2055 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	4.45 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.97 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.57 EUR
3000+	1.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH