Produkte > VISHAY / SILICONIX > SIR680LDP-T1-UE3
SIR680LDP-T1-UE3

SIR680LDP-T1-UE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.2 EUR
10+4.02 EUR
100+2.76 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.24 EUR
3000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIR680LDP-T1-UE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 130A, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 90nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®.

Weitere Produktangebote SIR680LDP-T1-UE3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIR680LDP-T1-UE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR680LDP-T1-UE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH