SiR692DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 1.22 EUR |
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Technische Details SiR692DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.052 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SiR692DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.32 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SiR692DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 8970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiR692DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V |
auf Bestellung 5859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR692DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.052 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: To Be Advised |
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SIR692DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.052 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
auf Bestellung 22424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR692DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 24.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR692DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 24.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SiR692DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
SIR692DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |