SIR692DP-T1-RE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.063 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.42 EUR |
| 500+ | 2.02 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |
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Technische Details SIR692DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.063 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm.
Weitere Produktangebote SIR692DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.57 EUR bis 6.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SiR692DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V |
auf Bestellung 2538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiR692DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 2421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR692DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.063 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm |
auf Bestellung 2635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SiR692DP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
Description: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.82 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| SiR692DP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.96 EUR |
| 10+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| 3000+ | 1.57 EUR |
| SIR692DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.063 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
Description: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.063 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.38 EUR |
| 61+ | 3.83 EUR |
| 100+ | 2.42 EUR |
| 500+ | 2.02 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |