SIR840DP-T1-GE3
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Technische Details SIR840DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.
Weitere Produktangebote SIR840DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIR840DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
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SIR840DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |