SIR840DP-T1-GE3
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Technische Details SIR840DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIR840DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIR840DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET |
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| SIR840DP-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
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| SIR840DP-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET
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