Produkte > VISHAY SILICONIX > SIR870ADP-T1-GE3
SIR870ADP-T1-GE3

SIR870ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir870adp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIR870ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Weitere Produktangebote SIR870ADP-T1-GE3 nach Preis ab 1.56 EUR bis 3.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir870adp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.66 EUR
100+1.9 EUR
500+1.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir870adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
auf Bestellung 10732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.87 EUR
10+2.71 EUR
100+1.9 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024282187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 33013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 sir870adp.pdf
SIR870ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.8 EUR
10+2.66 EUR
100+1.9 EUR
500+1.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 sir870adp.pdf
SIR870ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
auf Bestellung 10732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5+3.87 EUR
10+2.71 EUR
100+1.9 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 VISH-S-A0024282187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR870ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 33013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH