SIR872ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.99 EUR |
| 10+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| 1000+ | 2.15 EUR |
| 3000+ | 2.01 EUR |
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Technische Details SIR872ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 53.7A, Power dissipation: 104W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 23mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 100A, Gate charge: 47nC.
Weitere Produktangebote SIR872ADP-T1-RE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR872ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SIR872ADP-T1-RE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 53.7A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 100A Gate charge: 47nC |
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| SIR872ADP-T1-RE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8
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| SIR872ADP-T1-RE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 53.7A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 47nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 53.7A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 47nC
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