SIR876BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.84 EUR |
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Technische Details SIR876BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 71.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 71.4W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm.
Weitere Produktangebote SIR876BDP-T1-RE3 nach Preis ab 0.89 EUR bis 2.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIR876BDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR876BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 71.4W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm |
auf Bestellung 27507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SIR876BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 71.4W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm |
auf Bestellung 27507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR876BDP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 2.02 EUR |
| 11+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| SIR876BDP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.4A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
auf Bestellung 27507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIR876BDP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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Verlustleistung Pd: 71.4W
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
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Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 51.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
auf Bestellung 27507 Stücke:
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