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SIRA10DDP-T1-GE3

SIRA10DDP-T1-GE3 Vishay


Hersteller: Vishay
MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowePAK SO-8
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Technische Details SIRA10DDP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIRA10DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 96 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 43W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIRA10DDP-T1-GE3 SIRA10DDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowePAK SO-8
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SIRA10DDP-T1-GE3 SIRA10DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024651737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA10DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 96 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
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SIRA10DDP-T1-GE3 SIRA10DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024651737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA10DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 96 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Hersteller: Vishay / Siliconix
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA10DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 96 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
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Description: VISHAY - SIRA10DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 96 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
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