SIRA14BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
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Technische Details SIRA14BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote SIRA14BDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIRA14BDP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 17974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA14BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm |
auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA14BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm |
auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA14BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V |
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SIRA14BDP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SIRA14BDP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIRA14BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 5+ | 0.77 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.31 EUR |
| 9000+ | 0.29 EUR |
| SIRA14BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
Description: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 229+ | 1.09 EUR |
| 272+ | 0.86 EUR |
| 430+ | 0.5 EUR |
| 519+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| SIRA14BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
Description: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 2580 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 229+ | 1.09 EUR |
| 272+ | 0.86 EUR |
| 430+ | 0.5 EUR |
| 519+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| SIRA14BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
auf Bestellung 3934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.19 EUR |
| 26+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| SIRA14BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIRA14BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)