SIRA60DDP-T1-UE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.39 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 3000+ | 0.92 EUR |
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Technische Details SIRA60DDP-T1-UE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 193A; Idm: 500A, Case: PowerPAK® SO8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 500A, Power dissipation: 78W, Gate charge: 39.1nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 193A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 0.9mΩ.
Weitere Produktangebote SIRA60DDP-T1-UE3 nach Preis ab 1.06 EUR bis 3.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIRA60DDP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET |
auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIRA60DDP-T1-UE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.45 EUR |
| 10+ | 2.19 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |