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SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira60dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 780 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 780µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote SIRA60DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.17 EUR bis 3.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Vishay sira60dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.62 EUR
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SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Vishay sira60dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.23 EUR
100+1.83 EUR
250+1.73 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002472613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 780 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 780µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1850 Stücke:
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100+2.37 EUR
125+1.73 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
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SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sira60dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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2+2.39 EUR
10+1.96 EUR
100+1.65 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira60dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
auf Bestellung 10078 Stücke:
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8+2.76 EUR
10+2.26 EUR
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SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002472613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1038 Stücke:
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66+3.8 EUR
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SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Vishay sira60dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
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SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Vishay sira60dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5670 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
109+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+1.83 EUR
250+1.73 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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SIRA60DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 780 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 780µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+1.54 EUR
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SIRA60DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 12881 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.96 EUR
100+1.65 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.17 EUR
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SIRA60DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
auf Bestellung 10078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.76 EUR
10+2.26 EUR
100+1.76 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SIRA60DP-T1-GE3 VISH-S-A0002472613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA60DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.8 EUR
89+2.62 EUR
104+2.07 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3 sira60dp.pdf
SIRA60DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3 sira60dp.pdf
SIRA60DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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