Produkte > VISHAY SILICONIX > SIRC04DP-T1-GE3
SIRC04DP-T1-GE3

SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sirc04dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRC04DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2450 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2450µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIRC04DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.44 EUR bis 2.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIRC04DP-T1-GE3 SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sirc04dp-1764139.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.89 EUR
10+2.62 EUR
25+2.48 EUR
100+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3 SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc04dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.92 EUR
10+2.62 EUR
100+2.11 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3 SIRC04DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0013187242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRC04DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2450 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2450µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3 SIRC04DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0013187242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRC04DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2450 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2450µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3 sirc04dp-1764139.pdf
SIRC04DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.89 EUR
10+2.62 EUR
25+2.48 EUR
100+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3 sirc04dp.pdf
SIRC04DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.92 EUR
10+2.62 EUR
100+2.11 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3 VISH-S-A0013187242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRC04DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRC04DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2450 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2450µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3 VISH-S-A0013187242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRC04DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRC04DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2450 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2450µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH