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SIRS4600DP-T1-RE3

SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sirs4600dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 334A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SIRS4600DP-T1-RE3 nach Preis ab 3.32 EUR bis 10.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIRS4600DP-T1-RE3 SIRS4600DP-T1-RE3 VISHAY 3980730.pdf Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 334A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.65 EUR
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SIRS4600DP-T1-RE3 SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sirs4600dp.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
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SIRS4600DP-T1-RE3 SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix sirs4600dp.pdf MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 58A
auf Bestellung 4936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.18 EUR
100+4.4 EUR
500+3.88 EUR
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SIRS4600DP-T1-RE3 SIRS4600DP-T1-RE3 VISHAY 3980730.pdf Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 334A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.45 EUR
34+7.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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SIRS4600DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 334A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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SIRS4600DP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
auf Bestellung 3845 Stücke:
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 58A
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1+9.32 EUR
10+6.18 EUR
100+4.4 EUR
500+3.88 EUR
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Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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