SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3+ | 6.04 EUR |
| 10+ | 5.06 EUR |
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Technische Details SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 334A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote SIRS4600DP-T1-RE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIRS4600DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 334A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRS4600DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIRS4600DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.2 m @ 10V 1.03 m @ 7.5V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIRS4600DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIRS4600DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.2 mohm a. 10V 1.03 mohm a. 7.5V |
Produkt ist nicht verfügbar |